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新一輪大周期之下 存儲成半導體領(lǐng)域成長冠軍
在新一輪大周期之下，存儲再次成為了半導體領(lǐng)域成長冠軍。
財報顯示，2021年A股存儲行業(yè)整體營收共計214.49億元，同比增長91%，為近五年最高增速;歸母凈利潤共計50.58億元，同比增長112%，增速較2020年提升74個百分點。2022年一季度，存儲板塊營業(yè)收入同比增長36.65%，歸母凈利潤同比增長120.28%，仍為半導體產(chǎn)業(yè)增長最迅速的細分領(lǐng)域。
“存儲芯片的工藝難度沒有那么高，中國這幾年在投的幾個大型存儲項目現(xiàn)在已經(jīng)進入了量產(chǎn)階段，而我們對自主可控的需求，意味著國內(nèi)有一定的基礎(chǔ)需求支撐，所以國內(nèi)的存儲放量是比較自然的一件事情。”某私募基金經(jīng)理對第一財經(jīng)表示。
作為全球第二大DRAM市場，我國存儲芯片自給率低，國產(chǎn)化空間巨大。除了在EEPROM、NOR Flash等領(lǐng)域與海外巨頭展開差異化競爭外，本土存儲廠商也正大力拓展高增長的汽車芯片市場。
存儲是增長最快的半導體細分市場
半導體行業(yè)是典型的大市場強周期性行業(yè)。
WSTS數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導體市場規(guī)模達到5531億美元，同比增長26%，預計2022年將繼續(xù)增長，市場規(guī)模有望達6284億美元，同比增長14%，2023年市場規(guī)模達到6632億美元，同比增長6%。
“半導體雖然近年來發(fā)展得非?？?，但它還是一個周期性行業(yè)，只是這次是一個長周期，可能還有8-10年的高增長期。”至純科技董事長蔣淵此前在接受第一財經(jīng)專訪時表示。
據(jù)悉，從1980年開始，全球半導體產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)了八輪周期，從2019年開始處于第9輪周期，目前處于上行階段，近幾輪周期一般持續(xù)3-4年，本次周期被新冠疫情打亂節(jié)奏，周期時間拉長。
存儲是半導體第二大細分市場。2019-2021年，全球存儲市場規(guī)模為1064億、1175億、1534億美元，占半導體規(guī)模的比例分別為26%、27%、28%。
中泰證券研究發(fā)現(xiàn)，存儲的周期性與全球半導體整體周期性走勢一致，但波動性遠大于其他細分品類。這也是在半導體上行周期下，存儲成為半導體增長最快細分的原因之一。
2002-2021年、2011-2021年、2016-2021年，全球存儲年復合增長率(CAGR)分別為9.5%、9.7%、14.9%，均為半導體成長性最優(yōu)細分產(chǎn)品。值得注意的是，近五年14.9%的增速，較此前兩個五年，有較大幅度提升。
為什么存儲能成為半導體增長最快的細分領(lǐng)域?
主要是需求的高速增長。消費電子、計算機及周邊、工業(yè)控制、白色家電、通信等傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，智能手機攝像頭、汽車電子、可穿戴設(shè)備等新興市場，均有較大數(shù)據(jù)存儲需求。
IDC預測，全球數(shù)據(jù)存儲需求總量將從2019年的41ZB增長至2025年的175ZB，增幅將超過4倍。IC Insights預測，2021-2023年全球存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1552億、1804億及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。
國內(nèi)市場方面，根據(jù)世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會數(shù)據(jù)，預計2023年國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模將達6492億元。
自給率低，部分細分領(lǐng)域初具替代能力
存儲芯片主要分為閃存和內(nèi)存，閃存包括NAND FLASH和NOR FLASH，內(nèi)存主要為DRAM。目前DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲芯片95%以上的市場份額，IC Insights數(shù)據(jù)顯示，DRAM銷售額在2020年約占整個存儲市場的53%，閃存的比重約達到45%，其中NAND Flash為44%，NOR Flash為1%。
從競爭格局來看，存儲芯片全球大部分市場被韓系、美系廠商占據(jù)。2021年，三星、海力士、美光三巨頭全球DRAM市場合計市占率高達94%;NAND Flash前六大廠商2021年合計市占率高達93%;NOR Flash則主要被中國臺灣地區(qū)廠商壟斷，旺宏、華邦的合計市占率達48%。
中國是全球第二大DRAM市場，僅次于美國，但2021年本土DRAM廠商市場份額僅4%，其中合肥長鑫DRAM市場份額為3%。
合肥長鑫2016年在合肥成立，規(guī)劃三期產(chǎn)能共36萬片/月。2019年19nm 8Gb DDR4投產(chǎn)，2022年預計將試產(chǎn)17nm DDR5。
相比大容量的DRAM等易失性存儲，EEPROM、NOR Flash等小容量非易失性存儲芯片技術(shù)壁壘和毛利相對較低，海外巨頭逐步退出。對于中國企業(yè)而言，聚焦這部分產(chǎn)品可有效放大自身比較優(yōu)勢，實現(xiàn)和海外大容量存儲巨頭的差異化競爭。
目前EEPROM和NOR Flash領(lǐng)域我國存儲企業(yè)已具備替代能力，具備一定認可度。2020年，兆易創(chuàng)新(603986.SH)在NOR Flash的市占率達16%，排名全球第三，中泰證券預計其2021年市占率達19%。從銷售額看，聚辰股份(688123.SH)在EEPROM領(lǐng)域占據(jù)全球第三和中國第一的位置。
2022年一季度，聚辰股份業(yè)績大超預期，實現(xiàn)營業(yè)收入達2.01億元，同比增長50.75%;實現(xiàn)歸母凈利潤0.57億元，同比大增246.90%。
據(jù)悉，公司與瀾起科技(688008.SH)合作開發(fā)了配套新一代DDR5內(nèi)存條的SPD EEPROM產(chǎn)品，是其一季度業(yè)績增長的主要動力。瀾起科技是目前全球可以提供DDR5內(nèi)存接口及模組配套芯片全套解決方案的兩家供應(yīng)商之一。
“DDR5承載了更多的功能，價值含量有所上升，正處于一個放量的過程。”上述私募基金經(jīng)理對第一財經(jīng)表示，DDR5是產(chǎn)業(yè)比較明確會發(fā)生替代的一個東西，所以瀾起和聚辰會有一個業(yè)績增速，這是他們本身產(chǎn)品周期帶來的。
車用存儲高增長，多家企業(yè)布局
在汽車智能化升級、算力演進提升下，不斷增長的數(shù)據(jù)量要求汽車存儲芯片具有更快的數(shù)據(jù)處理速度、更大的數(shù)據(jù)存儲量，以及更高的穩(wěn)定性。未來十年，汽車將成為存儲增長最快的市場之一。
根據(jù)中國汽車報數(shù)據(jù)，2021年，一部手機的平均存儲容量為105GB，而一輛汽車僅為34GB。不過到2026年，單車的存儲容量將達483GB、甚至512GB，而手機僅350GB左右。
搜狐汽車研究室預計，全球汽車存儲芯片市場規(guī)模將從2019年的36億美元增長至2025減的83億美元，其間CAGR為14.94%。其中，LPDDR和NAND Flash等高性能存儲器件成為重點需求，2018-2025年預計保持16%和21%的年均復合增長。
汽車存儲市場目前主要玩家有三星、海力士、美光等海外領(lǐng)先廠商，國內(nèi)企業(yè)兆易創(chuàng)新、東芯股份(688110.SH)和北京君正(300223.SZ)亦有布局。
兆易創(chuàng)新的GD552G大容量產(chǎn)品已通過車規(guī)AECQ-100認證，SPI NOR Flash車規(guī)級產(chǎn)品2Mb-2Gb容量已全線鋪齊，GD25車規(guī)級存儲全系列產(chǎn)品已實現(xiàn)在多家汽車企業(yè)批量采用。2022年，公司旗下全國產(chǎn)化的38nm SPI NAND Flash—GD5F全系列(覆蓋1Gb-4Gb容量)通過AECQ100車規(guī)級認證，實現(xiàn)了從SPI NOR Flash到SPI NAND Flash車規(guī)級產(chǎn)品的全面布局。
北京君正并購的ISSI深耕存儲領(lǐng)域三十余年，專注于汽車及工業(yè)領(lǐng)域，根據(jù)Omdia統(tǒng)計，2020年其SRAM、DRAM、NOR Flash產(chǎn)品收入在全球市場中分別位居第二位、第七位、第六位，處于國際市場前列。
5月22日，韋爾股份(603501.SH)發(fā)布公告稱，擬以不超過人民幣40億元增持北京君正股票，看中的應(yīng)該也是君正在存儲芯片領(lǐng)域的優(yōu)勢和地位。增持后韋爾股份將合計持有不超過北京君正10.4%的股份。
此外，東芯股份的SLC NAND Flash、NOR Flash等存儲產(chǎn)品在陸續(xù)進行車規(guī)級認證，未來上車可期。
